SSM6L35FE,LM

SSM6L35FE,LM图片1
SSM6L35FE,LM图片2
SSM6L35FE,LM概述

Mosfet n/p-Ch 20V 0.18A/0.1A Es6

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 150mW Surface Mount ES6 1.6x1.6


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6


贸泽:
MOSFET Small Signal MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin ES T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6


SSM6L35FE,LM中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 9.5pF @3VVds

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 ES-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 ES-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SSM6L35FE,LM引脚图与封装图
SSM6L35FE,LM引脚图
在线购买SSM6L35FE,LM
型号: SSM6L35FE,LM
制造商: Toshiba 东芝
描述:Mosfet n/p-Ch 20V 0.18A/0.1A Es6
替代型号SSM6L35FE,LM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SSM6L35FE,LM

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

EM6K7T2CR

罗姆半导体

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SSM6L35FE,LM和EM6K7T2CR的区别

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