SSM3K309TTE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

SSM3K309TTE85L,F概述

Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A 3Pin TSM T/R

表面贴装型 N 通道 20 V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM

得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A 3-Pin TSM T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM

SSM3K309TTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 700mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1020pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSM3K309TTE85L,F

型号： SSM3K309TTE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A 3Pin TSM T/R