US N-CH 60V 0.17A
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 170mA 285mW 表面贴装型 US6
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
贸泽:
MOSFET Small-Signal MOSFET 2-in-1
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
极性 N-CH
耗散功率 0.285 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.17A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 17pF @10VVds
额定功率Max 285 mW
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 285 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free