SDD04S60

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SDD04S60概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A DC Surface Mount P-TO252-3


得捷:
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3


贸泽:
肖特基二极管与整流器 Silicon Carbide Schottky Diode 600V


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin 2+Tab TO-252


SDD04S60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.00 A

输出电流 ≤4.00 A

正向电压 1.9V @4A

极性 Standard

热阻 4.1℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.9V @4A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SDD04S60
型号: SDD04S60
描述:碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode
替代型号SDD04S60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SDD04S60

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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完全替代

SDD04S60和IDD04S60CBUMA1的区别

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