SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
SIPMOS Power-Transistor
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP35N10 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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