SPB07N60S5

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SPB07N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 7.30 A

极性 N-CH

输入电容 970 pF

栅电荷 35.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 20 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SPB07N60S5
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
替代型号SPB07N60S5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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