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SPU30P06P图片3

SPU30P06P概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 P 通道 60 V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3

得捷:
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

SPU30P06P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -30.0 A

极性 P-CH

耗散功率 125W Tc

输入电容 1.53 nF

栅电荷 48.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 1535pF @25VVds

额定功率Max 125 W

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPU30P06P

型号： SPU30P06P

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPU30P06P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPU30P06P Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRFU5305PBF 英飞凌	功能相似	SPU30P06P和IRFU5305PBF的区别
MTB30P06VT4G 安森美	功能相似	SPU30P06P和MTB30P06VT4G的区别
SPD30P06P 英飞凌	功能相似	SPU30P06P和SPD30P06P的区别