SPP10N10参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPP10N10概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

N-Channel 100V 10.3A Tc 50W Tc Through Hole PG-TO220-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

SPP10N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.3 A

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

输入电容 426 pF

栅电荷 19.4 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 426pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SPP10N10

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPP10N10