Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
立创商城:
P沟道 60V 18.7A
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON SPB18P06PGATMA1 MOSFET Transistor, P Channel, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -18.6 A
额定功率 81.1 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.101 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 81.1 W
阈值电压 3 V
输入电容 860 pF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 18.6 A
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 690pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 便携式器材, 车用, Onboard charger, 电机驱动与控制, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SPB18P06PGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
NTB5605PT4G 安森美 | 功能相似 | SPB18P06PGATMA1和NTB5605PT4G的区别 |
IRF9Z34SPBF 威世 | 功能相似 | SPB18P06PGATMA1和IRF9Z34SPBF的区别 |