酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
N-Channel 500 V 4.5A Tc 50W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 500V 4.5A
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 4.5A D2PAK-2 CoolMOS C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定电压DC 560 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
漏源极电阻 950 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 50 W
输入电容 470 pF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 560 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB04N50C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
R5007ANJTL 罗姆半导体 | 功能相似 | SPB04N50C3和R5007ANJTL的区别 |
IRF830STRLPBF 威世 | 功能相似 | SPB04N50C3和IRF830STRLPBF的区别 |