酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
N-Channel 600V 7.3A Tc 83W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
极性 N-Channel
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 970pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD07N60S5 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD07N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPD07N60S5和SPD07N60C3的区别 |
IPP60R600C6 英飞凌 | 功能相似 | SPD07N60S5和IPP60R600C6的区别 |
IPB60R600C6 英飞凌 | 功能相似 | SPD07N60S5和IPB60R600C6的区别 |