SPB04N60S5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
漏源极电阻 950 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 50 W
输入电容 580 pF
栅电荷 22.9 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SPB04N60S5
型号： SPB04N60S5
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
替代型号SPB04N60S5
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB04N60S5 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |