额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
通道数 1
漏源极电阻 220 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 208 W
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI20N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI65R190CFD 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N60C3和IPI65R190CFD的区别 |
IPI65R190CFDXKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N60C3和IPI65R190CFDXKSA1的区别 |
SPI20N60CFD 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N60C3和SPI20N60CFD的区别 |