SPA04N50C3

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SPA04N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 4.50 A

通道数 1

极性 N-CH

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 470pF @25VVds

额定功率Max 31 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPA04N50C3
型号: SPA04N50C3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
替代型号SPA04N50C3
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