SPN02N60C3概述
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
N-Channel 650V 400mA Ta 1.8W Ta Surface Mount PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 400MA SOT223-4
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 400mA SOT-223-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin3+Tab SOT-223
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
SPN02N60C3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 400 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
输入电容 200 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 400 mA
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPN02N60C3