单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW35N60C3FKSA1, 34.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
立创商城:
N沟道 650V 34.6A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 / N-Channel 650 V 34.6A Tc 313W Tc Through Hole PG-TO247-3-1
额定电压DC 650 V
额定电流 34.6 A
漏源极电阻 0.081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 313 W
阈值电压 3 V
输入电容 4.50 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 34.6 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 313000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC