新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Worldwide best RDSon in TO 220
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Improved transconductance
立创商城:
SPI20N65C3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-262
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
Win Source:
Cool MOS Power Transistor
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
极性 N-CH
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 4.5 ns
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI20N65C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI65R190C6 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N65C3和IPI65R190C6的区别 |
IPI65R190C6XKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N65C3和IPI65R190C6XKSA1的区别 |
SPI20N65C3HKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SPI20N65C3和SPI20N65C3HKSA1的区别 |