INFINEON SPB80P06PGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06PGATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin TO-263 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON SPB80P06PGATMA1 MOSFET Transistor, P Channel, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
力源芯城:
-60V,-80A,P沟道功率MOSFET
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -80.0 A
额定功率 340 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 340 W
阈值电压 3 V
输入电容 5.03 nF
栅电荷 173 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 4026pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 340 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, 计算机和计算机周边, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17