SPP08N50C3

SPP08N50C3图片1
SPP08N50C3图片2
SPP08N50C3图片3
SPP08N50C3图片4
SPP08N50C3图片5
SPP08N50C3图片6
SPP08N50C3图片7
SPP08N50C3图片8
SPP08N50C3图片9
SPP08N50C3概述

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 560V 7.6A


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 560V 7.6A TO220-3 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB


安富利:
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**MOSFET 500V 600mOhm 8A TO220 **


力源芯城:
500V,7.6A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
Cool MOS Power Transistor


SPP08N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 7.60 A

通道数 1

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 560 V

漏源击穿电压 560 V

连续漏极电流Ids 7.60 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPP08N50C3
型号: SPP08N50C3
描述:Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号SPP08N50C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPP08N50C3

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SPA04N80C3

英飞凌

类似代替

SPP08N50C3和SPA04N80C3的区别

SPP08N80C3

英飞凌

类似代替

SPP08N50C3和SPP08N80C3的区别

SPA06N80C3

英飞凌

类似代替

SPP08N50C3和SPA06N80C3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司