SPP18P06P

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SPP18P06P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -18.6 A

额定功率 81.1 W

极性 P-Channel

耗散功率 81100 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18.6 A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 81.1 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPP18P06P
型号: SPP18P06P
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS ?功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

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