SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
P-Channel 60V 18.7A Ta 81.1W Ta Surface Mount D²PAK TO-263AB
得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -18.6 A
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 81.1W Ta
输入电容 860 pF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 18.6 A
输入电容Ciss 860pF @25VVds
额定功率Max 81.1 W
耗散功率Max 81.1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
宽度 9.25 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB18P06P Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB18P06P G 英飞凌 | 类似代替 | SPB18P06P和SPB18P06P G的区别 |
STD10PF06T4 意法半导体 | 功能相似 | SPB18P06P和STD10PF06T4的区别 |
SPD08P06P 英飞凌 | 功能相似 | SPB18P06P和SPD08P06P的区别 |