SPB80N06S2-08概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
N-Channel 55V 80A Tc 215W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPB80N06S2-08中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 215W Tc
输入电容 3.80 nF
栅电荷 96.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 3800pF @25VVds
额定功率Max 215 W
耗散功率Max 215W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号SPB80N06S2-08
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB80N06S2-08 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB80N06S2-08 英飞凌 | 功能相似 | SPB80N06S2-08和IPB80N06S2-08的区别 |