







INFINEON SPP15P10PLHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP15P10PLHXKSA1, 11.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
e络盟:
INFINEON SPP15P10PLHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin3+Tab TO-220
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定功率 128 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 128 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 1120pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 128 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 车用, Automotive, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17


