SPP15P10PLHXKSA1

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SPP15P10PLHXKSA1概述

INFINEON  SPP15P10PLHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V

SIPMOS® P 通道 MOSFET

**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)

· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP15P10PLHXKSA1, 11.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3


e络盟:
INFINEON  SPP15P10PLHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


SPP15P10PLHXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 128 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 128 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 1120pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 128 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

制造应用 车用, Automotive, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

SPP15P10PLHXKSA1引脚图与封装图
SPP15P10PLHXKSA1引脚图
SPP15P10PLHXKSA1封装图
SPP15P10PLHXKSA1封装焊盘图
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型号: SPP15P10PLHXKSA1
描述:INFINEON  SPP15P10PLHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V

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