SPD30N08S2-22概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 75 V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Win Source:
OptiMOS Power-Transistor
SPD30N08S2-22中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 30.0 A
极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
输入电容 1.95 nF
栅电荷 57.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
额定功率Max 136 W
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买SPD30N08S2-22
替代型号SPD30N08S2-22
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD30N08S2-22 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N08S2-22 英飞凌 | 类似代替 | SPD30N08S2-22和IPD30N08S2-22的区别 |