Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP11N60CFDXKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
输入电容 1.20 nF
栅电荷 64.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STP11NM60 意法半导体 | 功能相似 | SPP11N60CFDXKSA1和STP11NM60的区别 |