SMBTA56E6327

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SMBTA56E6327概述

SOT-23 PNP 80V 0.5A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 500mA; 330mW; SOT23


SMBTA56E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBTA56E6327
型号: SMBTA56E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SOT-23 PNP 80V 0.5A
替代型号SMBTA56E6327
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMBTA56E6327

Infineon 英飞凌

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