STGB5H60DF

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STGB5H60DF概述

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

IGBT Trench Field Stop 600V 10A 88W Surface Mount D2PAK


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
N-channel STripFET > 30 V to 350 V


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S / IGBT Trench Field Stop 600 V 10 A 88 W Surface Mount D²PAK TO-263


STGB5H60DF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 88 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 134.5 ns

额定功率Max 88 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGB5H60DF
型号: STGB5H60DF
描述:IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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