SD1127参数规格_中文资料_数据手册PDF

SD1127概述

射频与微波晶体管VHF通信 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS

RF Transistor NPN 18V 640mA 175MHz 8W Through Hole TO-39

得捷:
RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

贸泽:
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 18V 0.64A 3-Pin TO-39

Verical:
Trans RF BJT NPN 18V 0.64A 3-Pin TO-39

SD1127中文资料参数规格

技术参数

频率 175 MHz

极性 NPN

耗散功率 8 W

输出功率 4.00 W

击穿电压集电极-发射极 18 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 10 @50mA, 5V

额定功率Max 8 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

高度 6.6 mm

封装 TO-39

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SD1127

型号： SD1127

描述：射频与微波晶体管VHF通信 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS

替代型号SD1127