SMBT3904E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBT3904E6327概述

NPN 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon

通用 NPN ，

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

TME:
Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 330mW; SOT23

SMBT3904E6327中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBT3904E6327

型号： SMBT3904E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：NPN 晶体管，Infineon ### 双极晶体管，Infineon

替代型号SMBT3904E6327