SML-810TBT86概述
Phototransistor Chip 800nm 2Pin SMD T/R
800nm 顶视图 2-SMD，无引线
得捷:
SENSOR PHOTO 800NM TOP VIEW 2SMD
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin Case 13053412Metric T/R
安富利:
Phototransistor Chip 800nm 2-Pin SMD T/R
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin Case 13053412Metric T/R
儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR 800NM SMD 1206 **
SML-810TBT86中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.08 W
波长 800 nm
峰值波长 800 nm
耗散功率 0.08 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
额定功率Max 80 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
耗散功率Max 80 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SMD-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -30℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SML-810TBT86