STMICROELECTRONICS STL190N4F7AG 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00168 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL190N4F7AG, 120 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin PowerFLAT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R
Newark:
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, POWERFLAT-8
儒卓力:
**N-CH 40V 120A 2mOhm PFlat 5x6 **
针脚数 8
漏源极电阻 0.00168 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 127 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 6.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 127000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
长度 5.4 mm
宽度 6.1 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99