封装 DIE
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
tdon 160.0 ns
IC max 100.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 80.0 ns
VCEsat max 3.0 V
ICpuls max 300.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 70.0 ns
tdoff 400.0 ns
Technology IGBT2
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册