IC max 15.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 30.0ns
VCEsat max 3.6 V
ICpuls max 45.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 31.0ns
VGEth min max 3.0 V 5.0 V
Technology IGBT2 Fast
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册