工作温度 -55℃ ~ 150℃
IC max 75.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 0.06ns
VCEsat max 3.7 V
ICpuls max 225.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 0.03 ns
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
Technology IGBT2 Fast
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册