SQJ962EP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQJ962EP-T1-GE3概述

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 8A 25W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

SQJ962EP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 475pF @25VVds

额定功率Max 25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ962EP-T1-GE3

型号： SQJ962EP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

替代型号SQJ962EP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQJ962EP-T1-GE3和SQJ992EP-T1_GE3的区别

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