SI3586DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3586DV-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

SI3586DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3586DV-T1-GE3

型号： SI3586DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

替代型号SI3586DV-T1-GE3