SI4567DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4567DY-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 5A，4.4A 2.75W，2.95W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC

SI4567DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 355pF @20VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4567DY-T1-GE3

型号： SI4567DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC