SI4910DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4910DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 7.6A 3.1W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET DUAL N-CH 40VD-S

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC

SI4910DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 855pF @20VVds

额定功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SI4910DY-T1-E3引脚图与封装图

SI4910DY-T1-E3引脚图

SI4910DY-T1-E3封装焊盘图

在线购买SI4910DY-T1-E3

型号： SI4910DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC