SI4908DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4908DY-T1-GE3概述

MOSFET 40V 5A 2.75W 60mohm @ 10V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET 40V 5.0A 2.75W 60mohm @ 10V

SI4908DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.85 W

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 355pF @20VVds

额定功率Max 2.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4908DY-T1-GE3

型号： SI4908DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 40V 5A 2.75W 60mohm @ 10V