SI4501ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4501ADY-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 6.3A, 4.1A 1.3W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

SI4501ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 42 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 30V, 8V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4501ADY-T1-GE3

型号： SI4501ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

替代型号SI4501ADY-T1-GE3