SI5975DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5975DC-T1-E3概述

MOSFET 12V 4.1A 2.1W

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 3.1A 1.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5935CDC-T1-GE3

SI5975DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 86.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds 12 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

上升时间 20 ns

额定功率Max 1.1 W

下降时间 20 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5975DC-T1-E3

型号： SI5975DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 4.1A 2.1W

替代型号SI5975DC-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI5975DC-T1-E3和SI5935CDC-T1-GE3的区别

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Vishay Siliconix

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