SI4941EDY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4941EDY-T1-E3概述

MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 10A 3.6W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET DUAL P-CH 30VD-S

SI4941EDY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 3.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4941EDY-T1-E3

型号： SI4941EDY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC