SI4914DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4914DY-T1-E3概述

MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 5.5A，5.7A 1.1W，1.16W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

SI4914DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.1W, 1.16W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4914DY-T1-E3

型号： SI4914DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC