SI6955ADQ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6955ADQ-T1-E3概述

MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 2.5A 830mW Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP

贸泽:
MOSFET 30V 2.9A

SI6955ADQ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 80.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.14 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -2.90 A to 2.90 A

上升时间 9 ns

额定功率Max 830 mW

下降时间 9 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6955ADQ-T1-E3

型号： SI6955ADQ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP

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