SI6544BDQ-T1-GE3

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SI6544BDQ-T1-GE3概述

MOSFET, N/P-Ch, Vds 30V, Vgs +/- 20V, Rdson 25mohm, Id 2.7A, TSSOP-8, Pd 0.83W

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.7A,3.8A 830mW 表面贴装型 8-TSSOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP


SI6544BDQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 0.83 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6544BDQ-T1-GE3
型号: SI6544BDQ-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET, N/P-Ch, Vds 30V, Vgs +/- 20V, Rdson 25mohm, Id 2.7A, TSSOP-8, Pd 0.83W
替代型号SI6544BDQ-T1-GE3
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