MOSFET 20V N-CH
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8
贸泽:
MOSFET 20V N-CH
漏源极电阻 25.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
额定功率Max 1.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7904DN-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI7904DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI7904DN-T1-E3和SI7904DN-T1-GE3的区别 |
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI7904DN-T1-E3和SI7904BDN-T1-GE3的区别 |
SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI7904DN-T1-E3和SI7904BDN-T1-E3的区别 |