SI4276DY-T1-GE3

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SI4276DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC


贸泽:
MOSFET 30 Volts 8 Amps 2.8 Watts


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC


SI4276DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1000pF @15VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4276DY-T1-GE3
型号: SI4276DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
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SI4276DY-T1-GE3和SI4276DY-T1-E3的区别

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