SI7980DP-T1-E3

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SI7980DP-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 20V 8A 19.8W,21.9W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8


贸泽:
MOSFET 20V 8.0A 19.8/21.9W 22/15mohm @ 10V


SI7980DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1010pF @10VVds

额定功率Max 19.8W, 21.9W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7980DP-T1-E3
型号: SI7980DP-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
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SI7980DP-T1-E3和SI7980DP-T1-GE3的区别

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