SI6981DQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6981DQ-T1-GE3概述

MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 4.1A 830mW 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP

SI6981DQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.80 A

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI6981DQ-T1-GE3

型号： SI6981DQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP

替代型号SI6981DQ-T1-GE3