SI7940DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7940DP-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 12V 7.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 12V 11.8A 0.017Ohm

SI7940DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 12 V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7940DP-T1-E3

型号： SI7940DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC

替代型号SI7940DP-T1-E3

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